casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / APTGT200H60G
Número da peça de fabricante | APTGT200H60G |
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Número da peça futura | FT-APTGT200H60G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
APTGT200H60G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Full Bridge Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 290A |
Potência - Max | 625W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 250µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 12.3nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | SP6 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SP6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT200H60G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APTGT200H60G-FT |
VS-GA400TD60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
APA600-CQ208M
Microsemi Corporation
10CL025YU256C6G
Intel
EP3SL200F1517C4LN
Intel
XC5VSX95T-1FF1136C
Xilinx Inc.
XC7V585T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
XCKU3P-L1SFVB784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F31C5N
Intel
EP2AGZ225FF35C4N
Intel