casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / VS-GB100NH120N

| Número da peça de fabricante | VS-GB100NH120N |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-VS-GB100NH120N |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| VS-GB100NH120N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo IGBT | - |
| Configuração | Single |
| Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
| Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 200A |
| Potência - Max | 833W |
| Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 100A |
| Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
| Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 8.58nF @ 25V |
| Entrada | Standard |
| Termistor NTC | No |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Pacote / caso | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Double INT-A-PAK |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| VS-GB100NH120N Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | VS-GB100NH120N-FT |

FP35R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies

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FP50R12N2T4B16BOSA1
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XC4005E-3PQ100I
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XC2V250-6FGG456C
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10AX016C4U19E3LG
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10M50DAF484I6G
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EP4CE22F17C8
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EP2AGX190EF29I5G
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EP4SGX110FF35C4
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