casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / VS-GB150TH120N
Número da peça de fabricante | VS-GB150TH120N |
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Número da peça futura | FT-VS-GB150TH120N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-GB150TH120N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 300A |
Potência - Max | 1008W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 150A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Double INT-A-PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GB150TH120N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-GB150TH120N-FT |
FP50R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KS4CBOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4GB15BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
FP50R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP75R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4B11BPSA1
Infineon Technologies
XC6SLX75-3CSG484C
Xilinx Inc.
XC2S30-5VQG100I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
EP1S20F484C7N
Intel
5SGSED8K3F40C2L
Intel
5SGXMA7N2F45I3N
Intel
EP4SE530F43C2ES
Intel
LCMXO2-7000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35I3L
Intel