casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / VS-GB150TH120N
Número da peça de fabricante | VS-GB150TH120N |
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Número da peça futura | FT-VS-GB150TH120N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-GB150TH120N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 300A |
Potência - Max | 1008W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 150A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Double INT-A-PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GB150TH120N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-GB150TH120N-FT |
FP50R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KS4CBOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4GB15BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
FP50R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP75R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4B11BPSA1
Infineon Technologies
EP20K60ETC144-2
Intel
XC6SLX25T-N3FG484C
Xilinx Inc.
A3PE3000L-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-FFG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2FG484
Microsemi Corporation
M1AFS250-1FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68
Microsemi Corporation
A54SX32A-1BGG329
Microsemi Corporation