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Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB100TH120N

Número da peça MFG
VS-GB100TH120N
Quantidade disponível
22750 Peças
Preço de referência
USD 285.889336
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Data de envio
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fabricante
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição breve
- IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - IGBTs - Módulos
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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VS-GB100TH120N Especificações

Número da peça de fabricante VS-GB100TH120N
Número da peça futura FT-VS-GB100TH120N
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
VS-GB100TH120N Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo IGBT -
Configuração Half Bridge
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) 200A
Potência - Max 833W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 100A
Corrente - corte de coletor (máx.) 5mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce 8.58nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Chassis Mount
Pacote / caso Double INT-A-PAK (3 + 4)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor Double INT-A-PAK
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VS-GB100TH120N Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição VS-GB100TH120N-FT

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