casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / VS-GB100TH120N
Número da peça de fabricante | VS-GB100TH120N |
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Número da peça futura | FT-VS-GB100TH120N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-GB100TH120N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 200A |
Potência - Max | 833W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 100A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 8.58nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Double INT-A-PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GB100TH120N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-GB100TH120N-FT |
FP40R12KE3BOSA1
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FP40R12KE3GBOSA1
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FP50R06KE3BOSA1
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FP50R12KT4B16BOSA1
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FP50R12KT4GB15BOSA1
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FP50R12KT4PBPSA1
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FP50R12N2T4B16BOSA1
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FP75R06KE3BOSA1
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XC2S200-5FG256I
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XCKU035-2FBVA676E
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XC6SLX150-N3FGG484C
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5SGXEB6R3F43C4
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5SGXEA9K3H40C2LN
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LFXP10C-4FN256C
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EP1S80B956C7
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