casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / VS-GB100TH120U
Número da peça de fabricante | VS-GB100TH120U |
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Número da peça futura | FT-VS-GB100TH120U |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-GB100TH120U Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 200A |
Potência - Max | 1136W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3.6V @ 15V, 100A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 8.45nF @ 20V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Double INT-A-PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GB100TH120U Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-GB100TH120U-FT |
FP40R12KE3GBOSA1
Infineon Technologies
FP50R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP50R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KS4CBOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4GB15BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
FP50R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP75R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
LCMXO640E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP3E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400A-4FGG400C
Xilinx Inc.
XA6SLX9-2FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4PQG208C
Xilinx Inc.
P1AFS600-2FG484I
Microsemi Corporation
10M50DAF484C8G
Intel
5CEBA2F17C8N
Intel
10AX022E4F27I3SG
Intel
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation