casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / VS-GB200NH120N
Número da peça de fabricante | VS-GB200NH120N |
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Número da peça futura | FT-VS-GB200NH120N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-GB200NH120N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Single |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 420A |
Potência - Max | 1562W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 200A (Typ) |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 18nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Double INT-A-PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GB200NH120N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-GB200NH120N-FT |
FP50R12KT4GB15BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
FP50R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP75R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4B11BPSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4BOSA1
Infineon Technologies
FS100R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
A54SX16A-TQ144M
Microsemi Corporation
XC7K70T-2FBG676I
Xilinx Inc.
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
M7AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
EP4CE40U19I7N
Intel
EPF10K50SFC256-1N
Intel
10CL006ZE144I8G
Intel
5SGXEBBR3H43C2LN
Intel
A42MX16-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC33E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation