casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / VS-GB200NH120N
Número da peça de fabricante | VS-GB200NH120N |
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Número da peça futura | FT-VS-GB200NH120N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-GB200NH120N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Single |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 420A |
Potência - Max | 1562W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 200A (Typ) |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 18nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Double INT-A-PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GB200NH120N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-GB200NH120N-FT |
FP50R12KT4GB15BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
FP50R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP75R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4B11BPSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4BOSA1
Infineon Technologies
FS100R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-1200HC-6SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL040YU484C8G
Intel
EP3CLS70U484C7
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
10CL006YE144C8G
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel
5AGXMA7G4F35C5N
Intel
EPF8636AQC208-2
Intel