casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / VS-GB200LH120N
Número da peça de fabricante | VS-GB200LH120N |
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Número da peça futura | FT-VS-GB200LH120N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-GB200LH120N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Single |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 370A |
Potência - Max | 1562W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.07V @ 15V, 200A (Typ) |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 18nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Double INT-A-PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GB200LH120N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-GB200LH120N-FT |
FP50R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4GB15BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
FP50R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP75R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4B11BPSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4BOSA1
Infineon Technologies
XCS05XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
XA3S1400A-4FGG484Q
Xilinx Inc.
EP4CE10F17I8L
Intel
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SEE9H40I3LN
Intel
EP3SL340H1152C4LN
Intel
XC4VLX100-11FF1148C
Xilinx Inc.
LFXP20C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation