casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / VS-GB100LH120N
Número da peça de fabricante | VS-GB100LH120N |
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Número da peça futura | FT-VS-GB100LH120N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-GB100LH120N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Single |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 200A |
Potência - Max | 833W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.77V @ 15V, 100A (Typ) |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 8.96nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Double INT-A-PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GB100LH120N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-GB100LH120N-FT |
FP35R12KT4B11BOSA1
Infineon Technologies
FP35R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP40R12KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP40R12KE3GBOSA1
Infineon Technologies
FP50R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP50R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KS4CBOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4GB15BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
LFE2-6SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50-4PQG208C
Xilinx Inc.
LFE5U-85F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
AGL030V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K1F40I2N
Intel
5SGXMB6R3F40I4N
Intel
XC4VLX25-11FFG676C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6M13C6N
Intel