casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / VS-GB150LH120N
Número da peça de fabricante | VS-GB150LH120N |
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Número da peça futura | FT-VS-GB150LH120N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-GB150LH120N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Single |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 300A |
Potência - Max | 1389W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.87V @ 15V, 150A (Typ) |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 10.6nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Double INT-A-PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GB150LH120N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-GB150LH120N-FT |
FP50R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP50R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KS4CBOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4GB15BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
FP50R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP75R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
LFXP3C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FGG484C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG484M
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APA600-PQG208
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1VF400I
Microsemi Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE10F17C8N
Intel
A42MX24-TQ176M
Microsemi Corporation
LFEC20E-3F672C
Lattice Semiconductor Corporation