casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / APTGT20H60T1G
Número da peça de fabricante | APTGT20H60T1G |
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Número da peça futura | FT-APTGT20H60T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
APTGT20H60T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Full Bridge Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 32A |
Potência - Max | 62W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 20A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 250µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 1.1nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | SP1 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SP1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT20H60T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APTGT20H60T1G-FT |
VS-GB100TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB300AH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL400V5-FGG256
Microsemi Corporation
AX250-2FG256
Microsemi Corporation
LFE5UM-25F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
EPF6016ATI100-2N
Intel
EP3SL50F484I4N
Intel
EP3CLS150F484I7N
Intel
5SGSMD6K3F40I3N
Intel
XC5VLX85T-2FF1136C
Xilinx Inc.
A3PE1500-2FGG676I
Microsemi Corporation