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Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB200TH120N

Name: VS-GB200TH120N
Brand: Vishay Semiconductor Diodes Division
SKU: VS-GB200TH120N
Price: 377.249336 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (428 reviews)

Número da peça MFG: VS-GB200TH120N

Quantidade disponível: 96970 Peças

Preço de referência: USD 377.249336

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division

Descrição breve: - IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - IGBTs - Módulos

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: VS-GB200TH120N.pdf

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VS-GB200TH120N Especificações

Número da peça de fabricante	VS-GB200TH120N
Número da peça futura	FT-VS-GB200TH120N
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
VS-GB200TH120N Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo IGBT	-
Configuração	Half Bridge
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max)	1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max)	360A
Potência - Max	1136W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic	2.35V @ 15V, 200A
Corrente - corte de coletor (máx.)	5mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce	14.9nF @ 25V
Entrada	Standard
Termistor NTC	No
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Chassis Mount
Pacote / caso	Double INT-A-PAK (3 + 4)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	Double INT-A-PAK
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VS-GB200TH120N Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	VS-GB200TH120N-FT

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