casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / APTGT200DH120G
Número da peça de fabricante | APTGT200DH120G |
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Número da peça futura | FT-APTGT200DH120G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
APTGT200DH120G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Asymmetrical Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 280A |
Potência - Max | 890W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 200A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 350µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | SP6 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SP6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT200DH120G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APTGT200DH120G-FT |
FS900R08A2P2B31BOSA1
Infineon Technologies
VS-GA200TH60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GA300TD60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GA400TD60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S700A-4FGG484C
Xilinx Inc.
XC3S1400AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C10F256I7N
Intel
EP4SE530F43I3N
Intel
5SGXEA7K3F35I3N
Intel
XC7VX690T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C4L
Intel