casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / APTGT200DH120G
Número da peça de fabricante | APTGT200DH120G |
---|---|
Número da peça futura | FT-APTGT200DH120G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
APTGT200DH120G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Asymmetrical Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 280A |
Potência - Max | 890W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 200A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 350µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | SP6 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SP6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT200DH120G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APTGT200DH120G-FT |
FS900R08A2P2B31BOSA1
Infineon Technologies
VS-GA200TH60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GA300TD60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GA400TD60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-2VQG80I
Microsemi Corporation
XA2S150E-6FT256I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3C40U484I7
Intel
5SGXEA7N1F40C2
Intel
10CX220YF672E5G
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
XC2V1500-4FFG896I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U4F45I3SGE2
Intel