casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / VS-GA200TH60S
Número da peça de fabricante | VS-GA200TH60S |
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Número da peça futura | FT-VS-GA200TH60S |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-GA200TH60S Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 260A |
Potência - Max | 1042W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A (Typ) |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 13.1nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Double INT-A-PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GA200TH60S Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-GA200TH60S-FT |
FP25R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP25R12KT4BOSA1
Infineon Technologies
FP30R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP35R12KT4B11BOSA1
Infineon Technologies
FP35R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP40R12KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP40R12KE3GBOSA1
Infineon Technologies
FP50R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP50R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KS4CBOSA1
Infineon Technologies
XC3S400-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX08-1VQG100I
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C6N
Intel
5SGXEA7K3F40C2
Intel
5SGXEA9N2F45I3LN
Intel
LFE2-12SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EP1S60F1508C7
Intel