casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / VS-GA200TH60S
Número da peça de fabricante | VS-GA200TH60S |
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Número da peça futura | FT-VS-GA200TH60S |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-GA200TH60S Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 260A |
Potência - Max | 1042W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A (Typ) |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 13.1nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Double INT-A-PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GA200TH60S Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-GA200TH60S-FT |
FP25R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP25R12KT4BOSA1
Infineon Technologies
FP30R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP35R12KT4B11BOSA1
Infineon Technologies
FP35R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP40R12KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP40R12KE3GBOSA1
Infineon Technologies
FP50R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP50R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KS4CBOSA1
Infineon Technologies
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-N3FGG676C
Xilinx Inc.
A42MX09-FVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA5K3F35C4N
Intel
XC7VX1140T-G2FLG1930E
Xilinx Inc.
XC2VP40-6FF1148C
Xilinx Inc.
LFXP15E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC3B7F23C8N
Intel
10AX057N4F40I3LG
Intel
5AGXMA7G4F35C4N
Intel