casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / XP0B30100L
Número da peça de fabricante | XP0B30100L |
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Número da peça futura | FT-XP0B30100L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
XP0B30100L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN, PNP Complementary Darlington |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 2mA, 10V |
Potência - Max | 150mW |
Freqüência - Transição | 150MHz, 80MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SMini5-G1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XP0B30100L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | XP0B30100L-FT |
EMZ51T2R
Rohm Semiconductor
EMT18T2R
Rohm Semiconductor
EMT51T2R
Rohm Semiconductor
EMX18T2R
Rohm Semiconductor
EMX1T2R
Rohm Semiconductor
EMX52T2R
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EMZ1T2R
Rohm Semiconductor
EMZ7T2R
Rohm Semiconductor
EMZ8T2R
Rohm Semiconductor
EMT3T2R
Rohm Semiconductor
XC2V8000-4FFG1517C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3N
Intel
10M16DCF484C8G
Intel
10M04DCF256C8G
Intel
10M04DCF256A7G
Intel
XA7A35T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-PQ100I
Microsemi Corporation
LFE5U-45F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation