casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / EMZ1T2R
Número da peça de fabricante | EMZ1T2R |
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Número da peça futura | FT-EMZ1T2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EMZ1T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN, PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 150mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Potência - Max | 150mW |
Freqüência - Transição | 180MHz, 140MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMZ1T2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMZ1T2R-FT |
HN4A06J(TE85L,F)
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HN1B04FU-GR,LF
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HN1B04FU-Y,LF
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XC7K160T-2FBG676I
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AT40K20-2EQJ
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EP2C70F672I8N
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EP2C5F256I8
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EP4SE530H35I3
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Xilinx Inc.
EPF8820AQC160-3
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