casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / EMX18T2R

| Número da peça de fabricante | EMX18T2R |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-EMX18T2R |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| EMX18T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
| Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
| Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 12V |
| Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 200mA |
| Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 10mA, 2V |
| Potência - Max | 150mW |
| Freqüência - Transição | 320MHz |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT6 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| EMX18T2R Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | EMX18T2R-FT |

HN4C51J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A06J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FU-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

LFE2-6E-6TN144C
Lattice Semiconductor Corporation

XC7A100T-1FGG676C
Xilinx Inc.

XC3S1000-4FGG456I
Xilinx Inc.

XC6VCX130T-1FFG484C
Xilinx Inc.

M1A3P1000L-FGG484I
Microsemi Corporation

LCMXO640E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation

AGLN125V2-ZVQ100
Microsemi Corporation

10M16DCF256C8G
Intel

5SGXEABN3F45I4N
Intel

LCMXO2-4000HE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation