casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / EMZ7T2R
Número da peça de fabricante | EMZ7T2R |
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Número da peça futura | FT-EMZ7T2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EMZ7T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN, PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 12V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 200mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 10mA, 2V |
Potência - Max | 150mW |
Freqüência - Transição | 320MHz, 260MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMZ7T2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMZ7T2R-FT |
HN1B04FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FU-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FU-Y,LF
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HN1B01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FU-GR,LF
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HN1C03FU-A(TE85L,F
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HN1B01FU-Y(L,F,T)
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HN1B04FU-Y(T5L,F,T
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FU-Y(T5L,F,T
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4006E-3TQ144I
Xilinx Inc.
XCV200E-8FG256C
Xilinx Inc.
XCS30XL-5CS280C
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A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C1N
Intel
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
XC4020XL-3BG256C
Xilinx Inc.
AGL600V2-CS281
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508C3
Intel