casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / EMZ8T2R
Número da peça de fabricante | EMZ8T2R |
---|---|
Número da peça futura | FT-EMZ8T2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EMZ8T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN, PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 150mA, 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V, 12V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V |
Potência - Max | 150mW |
Freqüência - Transição | 180MHz, 260MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMZ8T2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMZ8T2R-FT |
HN1B04FU-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FU-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C03FU-A(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B01FU-Y(L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FU-Y(T5L,F,T
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FU-Y(T5L,F,T
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4A56JU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S250E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
XC7A100T-L2CSG324E
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-9400C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19A7N
Intel
EP2AGX95EF35C4N
Intel