casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / EMX52T2R
Número da peça de fabricante | EMX52T2R |
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Número da peça futura | FT-EMX52T2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EMX52T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Potência - Max | 150mW |
Freqüência - Transição | 350MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMX52T2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMX52T2R-FT |
2SA1618-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4A06J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FU-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FU-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C03FU-A(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B01FU-Y(L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3030A-7PQ100C
Xilinx Inc.
A3PE600-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL025-1VF400
Microsemi Corporation
A40MX02-1PLG68
Microsemi Corporation
EP4CE15F23C6
Intel
EP2C5AF256A7N
Intel
M1A3P400-FGG144I
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG144
Microsemi Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C9LN
Intel