casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / EMT3T2R
Número da peça de fabricante | EMT3T2R |
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Número da peça futura | FT-EMT3T2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EMT3T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 150mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Potência - Max | 150mW |
Freqüência - Transição | 140MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMT3T2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMT3T2R-FT |
HN1A01FU-GR,LF
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HN1A01FU-Y,LF
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HN1B01FU-GR,LF
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HN4A56JU(TE85L,F)
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ULN2003APG,CN
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