casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / VS-MURD620CTTRL-M3
Número da peça de fabricante | VS-MURD620CTTRL-M3 |
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Número da peça futura | FT-VS-MURD620CTTRL-M3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | FRED Pt® |
VS-MURD620CTTRL-M3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 35ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-252AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MURD620CTTRL-M3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-MURD620CTTRL-M3-FT |
NRVUB1620CTRT4G
ON Semiconductor
BYV32EB-200PJ
WeEn Semiconductors
BYV32EB-200PQ
WeEn Semiconductors
SBT150-04Y-DL-E
ON Semiconductor
SBT250-04Y-DL-E
ON Semiconductor
SBT80-04Y-DL-E
ON Semiconductor
SBT80-10Y-DL-E
ON Semiconductor
SBT80-10Y-E
ON Semiconductor
SDB20S30
Infineon Technologies
U20DL2C48A(TE24L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
EP2AGX95EF35C6N
Intel