casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / BYV32EB-200PJ
Número da peça de fabricante | BYV32EB-200PJ |
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Número da peça futura | FT-BYV32EB-200PJ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BYV32EB-200PJ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 20A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 20A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 25ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | 175°C (Max) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV32EB-200PJ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYV32EB-200PJ-FT |
HN1D01F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D02F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2D01FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D03FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
NSVBAS21TMR6T2G
ON Semiconductor
BAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
BAS16UE6327HTSA1
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BAS21AVD,135
Nexperia USA Inc.
BAS21UE6433HTMA1
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BAV70UE6327HTSA1
Infineon Technologies
XC3S1400A-4FGG676C
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AGLN060V2-CSG81
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APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
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EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
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XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
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EP1S30F780C5N
Intel