casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / BYV32EB-200PQ
Número da peça de fabricante | BYV32EB-200PQ |
---|---|
Número da peça futura | FT-BYV32EB-200PQ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BYV32EB-200PQ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 20A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 20A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 25ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV32EB-200PQ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYV32EB-200PQ-FT |
HN1D02F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2D01FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D03FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
NSVBAS21TMR6T2G
ON Semiconductor
BAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
BAS16UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS21AVD,135
Nexperia USA Inc.
BAS21UE6433HTMA1
Infineon Technologies
BAV70UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAV99UE6327HTSA1
Infineon Technologies