casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / SBT80-10Y-DL-E
Número da peça de fabricante | SBT80-10Y-DL-E |
---|---|
Número da peça futura | FT-SBT80-10Y-DL-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SBT80-10Y-DL-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 50V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SMP-FD |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBT80-10Y-DL-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SBT80-10Y-DL-E-FT |
BAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
BAS16UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS21AVD,135
Nexperia USA Inc.
BAS21UE6433HTMA1
Infineon Technologies
BAV70UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAV99UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAW56UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAW56UE6433HTMA1
Infineon Technologies
FC903-TR-E
ON Semiconductor
IMN11T110
Rohm Semiconductor