casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / NRVUB1620CTRT4G
Número da peça de fabricante | NRVUB1620CTRT4G |
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Número da peça futura | FT-NRVUB1620CTRT4G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
NRVUB1620CTRT4G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 8A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 85ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVUB1620CTRT4G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NRVUB1620CTRT4G-FT |
BAS21VD,165
Nexperia USA Inc.
HN1D01F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D02F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2D01FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D03FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
NSVBAS21TMR6T2G
ON Semiconductor
BAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
BAS16UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS21AVD,135
Nexperia USA Inc.
BAS21UE6433HTMA1
Infineon Technologies
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel