casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / SBT150-04Y-DL-E
Número da peça de fabricante | SBT150-04Y-DL-E |
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Número da peça futura | FT-SBT150-04Y-DL-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SBT150-04Y-DL-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 15A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 6A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200µA @ 20V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SMP-FD |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBT150-04Y-DL-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SBT150-04Y-DL-E-FT |
HN2D01FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D03FTE85LF
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A3P1000-2FGG256I
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Microsemi Corporation
XC6VSX315T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM81TR
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LCMXO3L-2100E-6MG121C
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5AGXMA7G4F31C4N
Intel