casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / SBT150-04Y-DL-E
Número da peça de fabricante | SBT150-04Y-DL-E |
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Número da peça futura | FT-SBT150-04Y-DL-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SBT150-04Y-DL-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 15A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 6A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200µA @ 20V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SMP-FD |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBT150-04Y-DL-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SBT150-04Y-DL-E-FT |
HN2D01FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D03FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
NSVBAS21TMR6T2G
ON Semiconductor
BAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
BAS16UE6327HTSA1
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BAS21AVD,135
Nexperia USA Inc.
BAS21UE6433HTMA1
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BAV70UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAV99UE6327HTSA1
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BAW56UE6327HTSA1
Infineon Technologies
ICE40UP5K-SG48ITR50
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XC4010XL-1TQ144I
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LCMXO2-7000ZE-3TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-PQ100C
Microsemi Corporation
XC3S400AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
AGLN010V5-UCG36
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C7
Intel
10M25DCF256C7G
Intel
5SGSMD8K3F40I3N
Intel
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation