casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / PEMB11,115
Número da peça de fabricante | PEMB11,115 |
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Número da peça futura | FT-PEMB11,115 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PEMB11,115 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA |
Freqüência - Transição | 180MHz |
Potência - Max | 300mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-666 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMB11,115 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PEMB11,115-FT |
SMUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5114DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5133DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5215DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5330DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5135DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5215DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5312DW1T2G
ON Semiconductor
SMUN5114DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5214DW1T1G
ON Semiconductor
XC2S100-5PQG208C
Xilinx Inc.
A3P1000-1PQ208
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-SWG36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z2VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CGX110CF23I7N
Intel
5SGXMA5K2F35C1N
Intel
AGL060V5-QNG132
Microsemi Corporation
LFXP10C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F40E3SG
Intel
10AX032E2F27I1SG
Intel