casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSVMUN5312DW1T2G
Número da peça de fabricante | NSVMUN5312DW1T2G |
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Número da peça futura | FT-NSVMUN5312DW1T2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSVMUN5312DW1T2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 22 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN5312DW1T2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSVMUN5312DW1T2G-FT |
NSBC114YDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114YPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123EPDXV6T1
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NSBC123EPDXV6T1G
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NSBC123JDXV6T1
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NSBC123JDXV6T5
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NSBC123JPDXV6T1
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NSBC124EDXV6T1
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NSBC124EPDXV6T1
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