casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / MUN5133DW1T1G
Número da peça de fabricante | MUN5133DW1T1G |
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Número da peça futura | FT-MUN5133DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MUN5133DW1T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5133DW1T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MUN5133DW1T1G-FT |
NSBC114EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114EPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114TDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114TDXV6T5
ON Semiconductor
NSBC114TPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114YDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114YPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123EPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123EPDXV6T1G
ON Semiconductor
A54SX08-TQG144
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XC2S30-5VQG100C
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M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
EPF6010AFC256-3
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5SGXEABK1H40I2N
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XC5VLX30-2FF676C
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XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
5AGXMB1G6F31C6N
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