casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / MUN5215DW1T1G
Número da peça de fabricante | MUN5215DW1T1G |
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Número da peça futura | FT-MUN5215DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MUN5215DW1T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5215DW1T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MUN5215DW1T1G-FT |
NSBC114EPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114TDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114TDXV6T5
ON Semiconductor
NSBC114TPDXV6T1
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NSBC114YDXV6T1
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NSBC114YPDXV6T1
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NSBC123EDXV6T1
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NSBC123EPDXV6T1
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NSBC123EPDXV6T1G
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NSBC123JDXV6T1
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XC4010E-1BG225C
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A3P030-1VQG100I
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M1AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
10CL120ZF484I8G
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10M16DAF484C7G
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5SGSED8K2F40I2N
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5SGXEA3K3F40I4N
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XC7VX690T-3FFG1158E
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XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3M132C
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