casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / MUN5215DW1T1G
Número da peça de fabricante | MUN5215DW1T1G |
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Número da peça futura | FT-MUN5215DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MUN5215DW1T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5215DW1T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MUN5215DW1T1G-FT |
NSBC114EPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114TDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114TDXV6T5
ON Semiconductor
NSBC114TPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114YDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114YPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123EPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC123JDXV6T1
ON Semiconductor
XCKU5P-3FFVA676E
Xilinx Inc.
EP2C50U484C7N
Intel
EP3C55F484C8
Intel
5SGXMA4K1F35C1N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6VSX475T-2FFG1156E
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29I3N
Intel
EPF6016AFC100-2
Intel