casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSVMUN5215DW1T1G
Número da peça de fabricante | NSVMUN5215DW1T1G |
---|---|
Número da peça futura | FT-NSVMUN5215DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSVMUN5215DW1T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN5215DW1T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSVMUN5215DW1T1G-FT |
NSBC114TPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114YDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114YPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123EPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC123JDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123JDXV6T5
ON Semiconductor
NSBC123JPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC124EDXV6T1
ON Semiconductor
EX256-TQ100
Microsemi Corporation
XC2VP20-5FG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FG676C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CSG325I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL030V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4SGX290KF40C4N
Intel
LFXP2-8E-5FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP1K-CM81TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400ERC240-3
Intel