casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSVMUN5215DW1T1G
Número da peça de fabricante | NSVMUN5215DW1T1G |
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Número da peça futura | FT-NSVMUN5215DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSVMUN5215DW1T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN5215DW1T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSVMUN5215DW1T1G-FT |
NSBC114TPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114YDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114YPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123EPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC123JDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123JDXV6T5
ON Semiconductor
NSBC123JPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC124EDXV6T1
ON Semiconductor
EP20K100ETC144-1
Intel
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC7A75T-1FGG676I
Xilinx Inc.
M1AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C5F256C7
Intel
XC7VX485T-3FFG1761E
Xilinx Inc.
AGL400V5-CSG196I
Microsemi Corporation
5AGXFB7H4F35C5N
Intel
EP2AGX260FF35I3
Intel
EP20K300ERC208-2X
Intel