casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / SMUN5114DW1T1G
Número da peça de fabricante | SMUN5114DW1T1G |
---|---|
Número da peça futura | FT-SMUN5114DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SMUN5114DW1T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 187mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMUN5114DW1T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SMUN5114DW1T1G-FT |
NSBC114YPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123EPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC123JDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123JDXV6T5
ON Semiconductor
NSBC123JPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC124EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC124EPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC124XDXV6T1
ON Semiconductor
EX128-PTQ64I
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1TQG176
Microsemi Corporation
EP4CE6F17I7
Intel
XC6VLX240T-1FFG784C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
M2GL060-FGG676
Microsemi Corporation
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel