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Infineon Technologies IRFH4210DTRPBF

Name: IRFH4210DTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH4210DTRPBF
Price: 0.81972 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (91 reviews)

Número da peça MFG: IRFH4210DTRPBF

Quantidade disponível: 80750 Peças

Preço de referência: USD 0.81972

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: HEXFET® MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRFH4210DTRPBF.pdf

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IRFH4210DTRPBF Especificações

Número da peça de fabricante	IRFH4210DTRPBF
Número da peça futura	FT-IRFH4210DTRPBF
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HEXFET®
IRFH4210DTRPBF Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	44A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	77nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4812pF @ 13V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3.5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PQFN (5x6)
Pacote / caso	8-PowerTDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH4210DTRPBF Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRFH4210DTRPBF-FT

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