casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC080P03LSGAUMA1
Número da peça de fabricante | BSC080P03LSGAUMA1 |
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Número da peça futura | FT-BSC080P03LSGAUMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSC080P03LSGAUMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta), 30A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 122.4nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±25V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6140pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 89W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TDSON-8 |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC080P03LSGAUMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSC080P03LSGAUMA1-FT |
BSZ100N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ165N04NSGATMA1
Infineon Technologies
IPC100N04S51R2ATMA1
Infineon Technologies
IPC100N04S51R7ATMA1
Infineon Technologies
IPC100N04S51R9ATMA1
Infineon Technologies
IPC100N04S5L1R9ATMA1
Infineon Technologies
IPZ40N04S55R4ATMA1
Infineon Technologies
IRFH7084TRPBF
Infineon Technologies
IRFH8201TRPBF
Infineon Technologies
IRFH8202TRPBF
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel