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Infineon Technologies BSC080P03LSGAUMA1

Número da peça MFG
BSC080P03LSGAUMA1
Quantidade disponível
24640 Peças
Preço de referência
USD 0.740056
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
OptiMOS™ MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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BSC080P03LSGAUMA1 Especificações

Número da peça de fabricante BSC080P03LSGAUMA1
Número da peça futura FT-BSC080P03LSGAUMA1
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series OptiMOS™
BSC080P03LSGAUMA1 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Not For New Designs
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 16A (Ta), 30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 122.4nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6140pF @ 15V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 2.5W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor PG-TDSON-8
Pacote / caso 8-PowerTDFN
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC080P03LSGAUMA1 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição BSC080P03LSGAUMA1-FT

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