casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC084P03NS3EGATMA1
Número da peça de fabricante | BSC084P03NS3EGATMA1 |
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Número da peça futura | FT-BSC084P03NS3EGATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSC084P03NS3EGATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 14.9A (Ta), 78.6A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 110µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 57.7nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±25V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4240pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TDSON-8 |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC084P03NS3EGATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSC084P03NS3EGATMA1-FT |
IPC100N04S51R2ATMA1
Infineon Technologies
IPC100N04S51R7ATMA1
Infineon Technologies
IPC100N04S51R9ATMA1
Infineon Technologies
IPC100N04S5L1R9ATMA1
Infineon Technologies
IPZ40N04S55R4ATMA1
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IRFH7084TRPBF
Infineon Technologies
IRFH8201TRPBF
Infineon Technologies
IRFH8202TRPBF
Infineon Technologies
IRFH8316TRPBF
Infineon Technologies
IRFH8318TRPBF
Infineon Technologies
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel