casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC072N08NS5ATMA1
Número da peça de fabricante | BSC072N08NS5ATMA1 |
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Número da peça futura | FT-BSC072N08NS5ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSC072N08NS5ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 80V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 74A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 37A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 36µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2100pF @ 40V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TDSON-8 |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC072N08NS5ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSC072N08NS5ATMA1-FT |
BSC882N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC900N20NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ075N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSZ086P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
BSZ088N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ088N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ0909NSATMA1
Infineon Technologies
BSZ100N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ165N04NSGATMA1
Infineon Technologies
IPC100N04S51R2ATMA1
Infineon Technologies
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel