casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC079N03SG
Número da peça de fabricante | BSC079N03SG |
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Número da peça futura | FT-BSC079N03SG |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSC079N03SG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 14.6A (Ta), 40A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 30µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2230pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.8W (Ta), 60W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TDSON-8 |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC079N03SG Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSC079N03SG-FT |
BSZ088N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ088N03MSGATMA1
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BSZ0909NSATMA1
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BSZ100N03MSGATMA1
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IPC100N04S51R9ATMA1
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IPC100N04S5L1R9ATMA1
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