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Infineon Technologies BSC082N10LSGATMA1

Name: BSC082N10LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC082N10LSGATMA1
Price: 0.9438 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (790 reviews)

Número da peça MFG: BSC082N10LSGATMA1

Quantidade disponível: 29210 Peças

Preço de referência: USD 0.9438

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: BSC082N10LSGATMA1.pdf

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BSC082N10LSGATMA1 Especificações

Número da peça de fabricante	BSC082N10LSGATMA1
Número da peça futura	FT-BSC082N10LSGATMA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	OptiMOS™
BSC082N10LSGATMA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	13.8A (Ta), 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 110µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	104nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7400pF @ 50V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	156W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TDSON-8
Pacote / caso	8-PowerTDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC082N10LSGATMA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	BSC082N10LSGATMA1-FT

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