casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / GA50JT12-247
Número da peça de fabricante | GA50JT12-247 |
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Número da peça futura | FT-GA50JT12-247 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GA50JT12-247 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 1200V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 50A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | - |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7209pF @ 800V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 583W (Tc) |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247AB |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GA50JT12-247 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GA50JT12-247-FT |
IAUT300N10S5N015ATMA1
Infineon Technologies
IPLU300N04S4R8XTMA1
Infineon Technologies
IPT012N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IRL40T209ATMA1
Infineon Technologies
IAUT150N10S5N035ATMA1
Infineon Technologies
IAUT165N08S5N029ATMA2
Infineon Technologies
IAUT200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
IAUT240N08S5N019ATMA1
Infineon Technologies
IAUT260N10S5N019ATMA1
Infineon Technologies
IAUT300N08S5N012ATMA2
Infineon Technologies
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel