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Infineon Technologies IRL40T209ATMA1

Name: IRL40T209ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRL40T209ATMA1
Price: 2.80896 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (542 reviews)

Número da peça MFG: IRL40T209ATMA1

Quantidade disponível: 87140 Peças

Preço de referência: USD 2.80896

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: StrongIRFET™ MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRL40T209ATMA1.pdf

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IRL40T209ATMA1 Especificações

Número da peça de fabricante	IRL40T209ATMA1
Número da peça futura	FT-IRL40T209ATMA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	StrongIRFET™
IRL40T209ATMA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	300A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.72 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	269nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	16000pF @ 20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	500W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-HSOF-8-1
Pacote / caso	8-PowerSFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRL40T209ATMA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRL40T209ATMA1-FT

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