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Infineon Technologies IRL40T209ATMA1

Número da peça MFG
IRL40T209ATMA1
Quantidade disponível
87140 Peças
Preço de referência
USD 2.80896
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
StrongIRFET™ MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
IRL40T209ATMA1.pdf
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IRL40T209ATMA1 Especificações

Número da peça de fabricante IRL40T209ATMA1
Número da peça futura FT-IRL40T209ATMA1
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series StrongIRFET™
IRL40T209ATMA1 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 300A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.72 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 269nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 16000pF @ 20V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 500W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor PG-HSOF-8-1
Pacote / caso 8-PowerSFN
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRL40T209ATMA1 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IRL40T209ATMA1-FT

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