casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IAUT260N10S5N019ATMA1
Número da peça de fabricante | IAUT260N10S5N019ATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IAUT260N10S5N019ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™-5 |
IAUT260N10S5N019ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 260A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 210µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 166nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 11830pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 300W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-HSOF-8-1 |
Pacote / caso | 8-PowerSFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IAUT260N10S5N019ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IAUT260N10S5N019ATMA1-FT |
IPI65R110CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI65R190C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI65R190CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI65R280C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI65R310CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI65R380C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI65R420CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI65R600C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI65R660CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI70N04S307AKSA1
Infineon Technologies
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel