casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IAUT300N08S5N012ATMA2
Número da peça de fabricante | IAUT300N08S5N012ATMA2 |
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Número da peça futura | FT-IAUT300N08S5N012ATMA2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IAUT300N08S5N012ATMA2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 80V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 300A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 275µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 231nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 16250pF @ 40V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 375W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-HSOF-8-1 |
Pacote / caso | 8-PowerSFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IAUT300N08S5N012ATMA2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IAUT300N08S5N012ATMA2-FT |
IPI65R190C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI65R190CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI65R280C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI65R310CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI65R380C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI65R420CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI65R600C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI65R660CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI70N04S307AKSA1
Infineon Technologies
IPI70N04S406AKSA1
Infineon Technologies
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel