casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPT012N08N5ATMA1
Número da peça de fabricante | IPT012N08N5ATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPT012N08N5ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPT012N08N5ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 80V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 300A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 mOhm @ 150A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 280µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 223nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 17000pF @ 40V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 375W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-HSOF-8-1 |
Pacote / caso | 8-PowerSFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPT012N08N5ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPT012N08N5ATMA1-FT |
IPI60R280C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI60R299CPXKSA1
Infineon Technologies
IPI60R380C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI60R385CPXKSA1
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IPI60R520CPAKSA1
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IPI60R600CPAKSA1
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IPI65R110CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI65R190C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI65R190CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI65R280C6XKSA1
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
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10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
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EP4CE75F29C8
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