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Infineon Technologies IAUT165N08S5N029ATMA2

Name: IAUT165N08S5N029ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUT165N08S5N029ATMA2
Price: 1.510168 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (256 reviews)

Número da peça MFG: IAUT165N08S5N029ATMA2

Quantidade disponível: 49160 Peças

Preço de referência: USD 1.510168

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fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: OptiMOS™ MOSFET N-CH 165A 80V 120V 8HSOF

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IAUT165N08S5N029ATMA2.pdf

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IAUT165N08S5N029ATMA2 Especificações

Número da peça de fabricante	IAUT165N08S5N029ATMA2
Número da peça futura	FT-IAUT165N08S5N029ATMA2
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	OptiMOS™
IAUT165N08S5N029ATMA2 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	165A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 108µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	90nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6370pF @ 40V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	167W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-HSOF-8-1
Pacote / caso	8-PowerSFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IAUT165N08S5N029ATMA2 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IAUT165N08S5N029ATMA2-FT

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