casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / GA05JT12-247
Número da peça de fabricante | GA05JT12-247 |
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Número da peça futura | FT-GA05JT12-247 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GA05JT12-247 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | - |
Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 1200V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 5A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | - |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 106W (Tc) |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247AB |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GA05JT12-247 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GA05JT12-247-FT |
IPT012N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IRL40T209ATMA1
Infineon Technologies
IAUT150N10S5N035ATMA1
Infineon Technologies
IAUT165N08S5N029ATMA2
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IAUT200N08S5N023ATMA1
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IAUT240N08S5N019ATMA1
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IAUT260N10S5N019ATMA1
Infineon Technologies
IAUT300N08S5N012ATMA2
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IAUT300N08S5N014ATMA1
Infineon Technologies
IPLU250N04S41R7XTMA1
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel