casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / GA05JT12-247
Número da peça de fabricante | GA05JT12-247 |
---|---|
Número da peça futura | FT-GA05JT12-247 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GA05JT12-247 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | - |
Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 1200V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 5A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | - |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 106W (Tc) |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247AB |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GA05JT12-247 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GA05JT12-247-FT |
IPT012N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IRL40T209ATMA1
Infineon Technologies
IAUT150N10S5N035ATMA1
Infineon Technologies
IAUT165N08S5N029ATMA2
Infineon Technologies
IAUT200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
IAUT240N08S5N019ATMA1
Infineon Technologies
IAUT260N10S5N019ATMA1
Infineon Technologies
IAUT300N08S5N012ATMA2
Infineon Technologies
IAUT300N08S5N014ATMA1
Infineon Technologies
IPLU250N04S41R7XTMA1
Infineon Technologies
XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I4
Intel
XC2V1000-5BGG575I
Xilinx Inc.
LFXP6E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP3C120F780I7
Intel
EPF8452AQC160-3
Intel
5SGSMD3H2F35C1N
Intel