casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / DME201010R
Número da peça de fabricante | DME201010R |
---|---|
Número da peça futura | FT-DME201010R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DME201010R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN, PNP (Emitter Coupled) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 210 @ 2mA, 10V |
Potência - Max | 300mW |
Freqüência - Transição | 150MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-74A, SOT-753 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Mini5-G3-B |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DME201010R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DME201010R-FT |
US6X7TR
Rohm Semiconductor
US6X8TR
Rohm Semiconductor
QST8TR
Rohm Semiconductor
QS6Z5TR
Rohm Semiconductor
QST9TR
Rohm Semiconductor
QSX7TR
Rohm Semiconductor
QSX8TR
Rohm Semiconductor
QS5W1TR
Rohm Semiconductor
QS5W2TR
Rohm Semiconductor
QS5Y1TR
Rohm Semiconductor
EP1C3T144C8N
Intel
XC6SLX75T-N3FGG676I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ84
Microsemi Corporation
10M50DCF256C8G
Intel
XC5VLX155T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8Q208C8
Intel