casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / QSX8TR
Número da peça de fabricante | QSX8TR |
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Número da peça futura | FT-QSX8TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
QSX8TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 30V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 25mA, 500mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 100mA, 2V |
Potência - Max | 1.25W |
Freqüência - Transição | 320MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TSMT6 (SC-95) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QSX8TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | QSX8TR-FT |
MAT14ARZ-RL
Analog Devices Inc.
ULN2003F12FN-7
Diodes Incorporated
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FU-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
M2GL060-FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE600-2FG484I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FG484I
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA4K3F40C4N
Intel
10AX048E4F29E3LG
Intel
XC7S25-1CSGA225I
Xilinx Inc.
A40MX04-PQ100A
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX110HF35C4N
Intel