casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / QST9TR
Número da peça de fabricante | QST9TR |
---|---|
Número da peça futura | FT-QST9TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
QST9TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 30V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 25mA, 500mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 100mA, 2V |
Potência - Max | 1.25W |
Freqüência - Transição | 320MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TSMT6 (SC-95) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QST9TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | QST9TR-FT |
MAT14ARZ
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-R7
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-RL
Analog Devices Inc.
ULN2003F12FN-7
Diodes Incorporated
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FU-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
A1010B-1VQG80I
Microsemi Corporation
AGLN020V5-QNG68
Microsemi Corporation
XC4013E-2BG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FG484I
Xilinx Inc.
APA450-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F45I2L
Intel
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF1020C5
Intel
EP20K1000CF33C8
Intel