casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / QS6Z5TR
Número da peça de fabricante | QS6Z5TR |
---|---|
Número da peça futura | FT-QS6Z5TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
QS6Z5TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN, PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 25mA, 500mA / 400mV @ 25mA, 500mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 50mA, 2V |
Potência - Max | 1.25W |
Freqüência - Transição | 360MHz, 400MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TSMT6 (SC-95) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QS6Z5TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | QS6Z5TR-FT |
JANTXV2N6989
Microsemi Corporation
MAT14ARZ
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-R7
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-RL
Analog Devices Inc.
ULN2003F12FN-7
Diodes Incorporated
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FU-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage