casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / US6X8TR
Número da peça de fabricante | US6X8TR |
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Número da peça futura | FT-US6X8TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
US6X8TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 30V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 25mA, 500mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 100mA, 2V |
Potência - Max | 400mW |
Freqüência - Transição | 320MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-SMD, Flat Leads |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TUMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US6X8TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | US6X8TR-FT |
ULQ2001D1013TR
STMicroelectronics
ULQ2003D1
STMicroelectronics
JANTXV2N6989
Microsemi Corporation
MAT14ARZ
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-R7
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-RL
Analog Devices Inc.
ULN2003F12FN-7
Diodes Incorporated
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX32A-FG484
Microsemi Corporation
M7AFS600-FG256
Microsemi Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
A10V10B-PLG68C
Microsemi Corporation
EP20K600CF672C9
Intel
EP20K600EFC672-1N
Intel
10M08DAF484I7G
Intel
10AX032E2F27I2SG
Intel
XC7K160T-1FB484I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation